Pesquisadores criam memória universal que pode substituir flash e RAM

Na Universidade da Carolina do Norte, nos Estados Unidos, pesquisadores desenvolveram um componente eletrônico que pode transformar os diversos tipos de memórias dos computadores em uma memória única.

A novidade permite que os computadores deem boot de forma quase instantânea, além de proporcionar uma grande economia de energia, principalmente nos data-centers, que poderão desligar partes dos sistemas de armazenamento e de processamento sem sacrificar o desempenho e sem perder a capacidade de atender rapidamente aos picos de demanda.

Normalmente, a “memória do computador” possui dois tipos de componentes. Os discos rígidos, ou os cartões de memória flash, são tecnologias de armazenamento persistente, ou seja, que guardam informações por longos períodos de tempo, e elas não são perdidas quando a energia é desligada. Por isso, elas são chamadas de dispositivos não-voláteis. O problema é que elas são muito lentas em relação a outro tipo de memória, a memória RAM, onde os dados são processados. Esta, apesar de deixar os computadores muito rápidos, perde os dados quando o computador é desligado. Dessa forma, quando o computador é religado, há uma espera para que todas as informações sejam lidas novamente do disco rígido, resultando em um boot demorado.

O componente híbrido criado, chamado de transístor de efeito de campo (FET) de dupla porta flutuante, é capaz de executar as operações típicas das memórias voláteis e as de memórias não voláteis. Assim, ele serve tanto para o armazenamento quanto para a memória principal, criando uma espécie de memória universal.

Além disso, segundo os pesquisadores, os transistores FET de porta flutuante – de uma única porta flutuante – são a base das memórias flash atuais. Por utilizarem altas voltagens para funcionar, seu ciclo operacional é bastante baixo, deixando de operar depois de cerca de 10.000 ciclos de leitura e escrita.

A nova memória pode substituir essa tecnologia, já que usa tensões muito mais baixas. Os pesquisadores afirmam que sua velocidade de operação é tão elevada quanto a das memórias DRAM, com uma taxa de atualização de 16 milissegundos.

Agora, os cientistas estão realizando testes com a memória universal para saber se ela seria adequada para substituir os discos rígidos, que usam uma tecnologia diferente e que são mais rápidos do que as memórias flash comuns. Além disso, testes de desempenho se o delicado empilhamento de camadas não se degrada com o uso.

Com informações de Inovação Tecnológica