Nova geração de chips melhora rendimento de memória de celulares e tablets em 10 vezes

Fabricantes japoneses e americanos de semicondutores se uniram para padronizar chips de armazenamento magnético MRAM em substituição aos atuais dinâmicos DRAM, com o objetivo de aumentar o rendimento dos dispositivos móveis em relação à memória.

Cerca de 20 empresas participam do projeto, que une Hitachi, Renesas Electronics e Tokyo Electron, pelo lado japonês, e Micron Technology, o segundo maior produtor de chips DRAM do mundo, por parte dos Estados Unidos. Especialistas dos dois países se reunirão na universidade japonesa de Tohoku, onde trabalharão para desenvolver os novos modelos a partir de fevereiro.

Em desenvolvimento desde os anos 90, as memórias MRAM ainda têm fraca comercialização. Com o acordo, a expectativa é de a sua produção em massa seja impulsionada até 2018 para tornar celulares e tablets mais potentes.

A diferença entre DRAM e MRAM é que a memória magnética é um pouco menos densa e mais cara do que a memória dinâmica, mas também se mostra mais resistente e duradoura. Além disso, ela apresenta uma maior velocidade de leitura e maior economia de energia do que sua concorrente.

Com informações de Olhar Digital