Memória flash de grafeno supera estado da arte

O protótipo de uma memória flash feita com grafeno mostrou grandes
vantagens em relação à tecnologia estado da arte na área. Apesar de ainda não
ter qualquer otimização, a memória flash de grafeno consome somente metade da
energia e pode armazenar o dobro de informações que uma memória flash
convencional.

Segundo os cientistas, por ser essencialmente carbono,
o grafeno tem potencial para gerar células de memória muito mais baratas do
que as atuais, que usam semicondutores caros e difíceis de purificar.

Pesquisadores da Universidade da Califórnia calcularam que a
célula de memória flash de grafeno perde apenas 8% de sua carga em um período
de 10 anos. Em contrapartida, as células de memória de um pen drive ou de um cartão
de memória de uma máquina digital atuais perdem 50% de sua carga.

Com essa maior estabilidade, as células de memória de
grafeno interferem menos umas nas outras, permitindo fabricá-las mais juntas
umas das outras. Esse aumento de densidade é o responsável pelo acréscimo na
capacidade de armazenamento de dados divulgada pela equipe.

Além disso, de acordo com os pesquisadores, o formato de
tela de galinheiro confere ao grafeno estados eletrônicos muito densos, o que
lhe dá uma alta capacidade de armazenamento de elétrons em seus níveis de
energia. Essa estabilidade resulta em uma maior capacidade de retenção das
cargas.

Entretanto, na prática, o grafeno não se parece tanto com
seu desenho ilustrativo teórico: há muitos furos e contaminantes, que o fazem
ter um desempenho aquém do que prevê a teoria. Isso entusiasmou ainda mais os
cientistas, já que obtiveram excelentes resultados com um material ainda longe
do seu ideal teórico.

Com informações de Inovação Tecnológica