Samsung inicia produção da primeira DDR4 com chip de 10 nanômetros

Em seu blog oficial, a Samsung anunciou a produção dos novos DDR4 DRAM (RAM dinâmica), chips fabricados com o que há de menor e mais recente em termos de processos de fabricação de semicondutores.

Com apenas 10 nanômetros, as novas unidades devem apresentar a capacidade nominal de 8 Gb (gigabits). Isso significa que um único chip pode acomodar 1 GB (gibabyte) de memória – embora normalmente sejam acomodados em módulos de 4 GB e 128 GB para computadores pessoais e servidores, respectivamente.

Além da vantagem óbvia de poder acomodar mais células em um único molde de silício, os chips moldados em 10 nanômetros ainda apresentam maior velocidade e economia de energia.

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Para efeitos de comparação, o DDR4 de 10 nanômetros tem taxa de transferência da ordem dos 3,2 mil Mbps (megabits por segundo), o que o torna 30% mais rápido do que o modelo similar de 20 nanômetros – cuja velocidade ficava nos 2,4 Mbps. Além disso, as novas unidades ainda consomem entre 10% e 30% menos energia do que o equivalente de 20 nanômetros.

Mas os novos chips da Samsung se destacam mesmo em relação aos igualmente modernos chips NAND – memória flash utilizada em SSDs e cartões de memória. Enquanto um NAND apresenta apenas um transistor por célula de silício, a novas RAM dinâmica da Samsung acomoda um transistor e um capacitor no mesmo espaço – o que pode se tornar um desafio e tanto quando se consideram as 8 milhões de células de um único chip.