Pesquisadores Universidade Purdue, nos Estados Unidos,
desenvolveram uma nova memória de computador que combina nanofios de silício e
um plástico ferroelétrico. A promessa é que a novidade, chamada de FeTRAM (uma
sigla para memória de acesso aleatório com transistor ferroelétrico),
 seja mais rápida e consuma menos energia, além de não perder os dados
quando o computador é desligado.

A nova memória é bastante similar às já bem conhecidas
memórias ferroelétricas, ou FeRAMs – a informação armazenada no material
ferroelétrico pode ser lida de forma não-destrutiva, ou seja, a leitura não
destrói o dado. Dessa forma, é possível armazenar o dado usando um transistor
ferroelétrico, em vez de um capacitor, como nas atuais FeRAMs.

Sob a ação de um campo elétrico, o polímero ferroelétrico
muda de polaridade, o que o permite ser usado como um transistor ferroelétrico.
Isso quer dizer, na prática, que uma célula de memória não perde os dados
depois que a energia é desligada.

Além disso, devido à eliminação do capacitor, a memória
não-volátil tem potencial para usar 99% menos energia do que uma memória flash,
que são usadas nos pen-drives. Entretanto, de acordo com Saptarshi Das, um dos
pesquisadores do projeto, o dispositivo ainda consome mais energia porque ainda
não foi adequadamente miniaturizado. Ele afirmou que as futuras gerações da
tecnologia FeTRAM trarão a redução da dissipação de potência e poderão ser mais
rápidas do que qualquer outro tipo de memória.

Com informações de Inovação
Tecnológica