Foi criado o primeiro protótipo de memória resistiva com uma velocidade que se equipara às memórias DRAM atualmente no mercado. A autora do projeto é a empresa japonesa Elpida Memory.

O desenvolvimento da novidade é significativo, e mostra que as memórias resistivas têm potencial para concorrer com outras tecnologias emergentes de memória não-volátil, ou seja, que não perdem os dados quando a energia é desligada. Entretanto, a nova memória resistiva ainda não pronta para substituir as memórias dos computadores, pois, apesar de o protótipo ser rápido, ele ainda não tem a durabilidade de uma DRAM.

Segundo a Elpida, um acordo está sendo feito com a também japonesa Sharp para tentar tornar a nova tecnologia pronta para chegar ao mercado.

A nova memória é conhecida como RRAM – a Elpida chama seu protótipo de ReRAM -, um acrônimo para memória de acesso aleatório resistiva, e mantém os dados na falta de energia. As memórias flash, usadas em cartões de memória e em discos rígidos de estado sólido, também fazem isso, mas não são rápidas o suficiente para serem usadas como memória principal de um computador.

A ReRAM foi fabricada com uma tecnologia de 50 nanômetros – ainda “grande” para os padrões atuais – com células de 64 megabits.

As memórias resistivas são fabricadas com um material que altera sua resistência à passagem da corrente elétrica em resposta a variações na sua tensão de alimentação, e depois que a memória é desligada, essa resistência se mantém, e os dados não se perdem.

De acordo com a Elpida, o tempo de escrita da ReRAM é de 10 nanossegundos, uma velocidade similar à das DRAM atuais. Sua durabilidade foi calculada em 10 milhões de ciclos de escrita e leitura, o que é cerca de 10 vezes mais do que uma memória flash suporta, mas ainda muito menos do que uma DRAM.

Assim, apesar de ainda não ocupar imediatamente seu lugar nos computadores, a ReRAM tem potencial para ser usada em outras áreas, como em pendrives e discos de estado sólido de maior durabilidade.

A Elpida pretende fabricar a nova memória em grande escala em 2013, usando uma tecnologia de 30 nanômetros e atingindo uma capacidade na faixa dos gigabits.

O protótipo da empresa japonesa contou com a participação de cientistas do Instituto Nacional de Ciências Industriais Avançadas e da Universidade de Tóquio, ambos no Japão.

Com informações de Inovação Tecnológica