De acordo com estudo publicado hoje na revista científica Nature, pesquisadores descobriram um novo processo para produzir transistores ultrafinos.

Os aparelhos são feitos a partir de um material experimental chamado dicalcogeneto. Ele é ultrafino, com apenas alguns átomos de espessura e propriedades, o que o torna útil para a construção de células de energia solar, detectores de luz ou semicondutores.

A fabricação desses materiais sempre se mostrou muito complicada, mas os resultados da pesquisa recém-publicada são o melhor processo já encontrado até agora.

O estudo da Nature detalha uma nova forma de produzir o dicalcogeneto. Os pesquisadores usaram uma técnica industrial conhecida como “deposição metal orgânica de vapor químico”.

O processo começa com dois compostos misturados em um molde de silício e colocados em um forno de 550ºC, durante 26 horas. O resultado foi a criação de 200 transistores ultrafino com boa condução elétrica.

“Nosso trabalho leva os dicalcogenetos para uma escala tecnologicamente relevante. Em princípio, não há mais barreiras para a viabilidade comercial”, afirmou Saien Xie, uma das autoras do estudo.

Se a descoberta funcionar, ela pode representar uma revolução na fabricação de chips. As fabricantes de transistores já estão atingindo o limite de densidade dos chips de silício. Assim, caso as empresas queiram continuar criando aparelhos menores e mais rápidos, elas precisam de um material ultra fino que possa reunir ainda mais circuitos de forma estável.

Os dicalcogenetos são a principal esperança de pesquisadores e fabricantes de chips ao lado de outro elemento: o grafeno. Ambos os materiais podem ser produzidos com a espessura de alguns átomos, sendo classificados de “materiais bidimensionais”.

O próximo passo é fazer com que o dicalcogeneto seja produzido em larga escala e, principalmente, em temperaturas do que 550ºC, suficientes para evaporar ou desintegrar outros compostos importantes para o processo.

Com informações de Info