IBM e a Samsung anunciaram nesta semana que desenvolveram um processo para fabricar um tipo de memória RAM não volátil que é até 100.000 vezes mais rápido do que as atuais NAND flash e nunca se desgasta.

As duas empresas colaboraram para desenvolver a próxima geração de Spin Transfer Torque Magnetoresistive RAM (STT MRAM), que resultaria em chips de memória de baixa capacidade para sensores de Internet das Coisas, wearables e dispositivos móveis que atualmente usam NAND flash para armazenar dados.

A descoberta foi publicada em um artigo na IEEE Magnetics Letters, que descreveu como eles escalaram a STT MRAM até 11 nanômetros pela primeira vez, usando 10 pulsos de nanossegundos e apenas 7,5 microamperes.

A NAND flash leva, em média, um milésimo de segundo para gravar dados em comparação com 10 nanossegundos da MRAM, o que significa que a MRAM é 100.000 vezes mais rápida do que a NAND flash nas gravações e 10 vezes mais rápida nas leituras.

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A MRAM também pode ser utilizada para um novo tipo de memória de trabalho em aplicações de potência ultrabaixa. Por exemplo, poderia ser usada na Internet das Coisas ou em dispositivos móveis, onde utiliza muito pouca bateria quando é ligada e armazena informações, e quando ela não estiver sendo ativamente usada, utilizará energia zero, porque não é volátil.

Para Daniel Worledge, gerente sênior do desenvolvimento da MRAM na IBM Research, a STT MRAM não vai substituir as DRAM atuais, usadas para memória de trabalho, mas ele acredita que vai facilmente substituir o flash embedado, já que a MRAM é mais fácil de embedar, mais rápida e tem leituras e escritas ilimitadas.

Ainda não há informações sobre quando a nova memória deve chegar ao mercado.

Com informações de Computerworld